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Vishay推出新款精密薄膜MELF電阻，可減少系統(tǒng)元器件數(shù)量，節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的0102、0204和0207封裝薄膜MELF電阻推出提高阻值范圍的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的這三款器件的溫度系數(shù)（TCR）低至 ± 15 ppm/K，公差僅為 ± 0.1 %，阻值高達(dá)10 MW，滿足各種應(yīng)用高穩(wěn)定性和高可靠性的要求。與之前的薄膜MELF電阻產(chǎn)品相比，日前發(fā)布的器件阻值顯著提高。例如，TCR為 ± 25 pp
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Vishay全集成接近傳感器榮獲2024年度中國(guó)IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)和2024年度EE Awards亞洲金選獎(jiǎng)

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公司的VCNL36828P全集成接近傳感器榮獲兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)。器件分別獲得2024年度中國(guó)IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)的“IoT年度產(chǎn)品獎(jiǎng)”以及2024年度 EE Awards亞洲金選獎(jiǎng)的“年度最佳傳感器獎(jiǎng)”。IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)由領(lǐng)先的電子科技媒體《電子發(fā)燒友網(wǎng)》主辦，已連續(xù)成功舉辦八屆，旨在表彰過(guò)去一年推出的對(duì)物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響的產(chǎn)品和技術(shù)。EE Awards亞洲金選獎(jiǎng)由全球技術(shù)電子領(lǐng)域最大的媒體集團(tuán)AspenCore主辦，旨在表彰為亞洲電子行業(yè)的
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Vishay推出應(yīng)用于對(duì)安全要求極高的電子系統(tǒng)的新款1 Form A固態(tài)繼電器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款1 Form A固態(tài)繼電器---VOR1060M4，該器件采用薄形SOP-4封裝，提供600 V負(fù)載電壓和3750 VRMS隔離電壓。Vishay? VOR1060M4旨在為儲(chǔ)能、工業(yè)和移動(dòng)應(yīng)用提供快速開(kāi)關(guān)，可提供0.3 ms的快速導(dǎo)通時(shí)間（典型值）和2 nA的低漏電流。日前發(fā)布的這款光隔離器件采用先進(jìn)的紅外發(fā)射器和光電二極管，導(dǎo)通時(shí)間快，非常適合對(duì)安全要求極高的應(yīng)用。固態(tài)繼電器的漏電流較低，使器件可在敏感的低電
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Vishay推出性能先進(jìn)的新款40V MOSFET

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競(jìng)品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0
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Vishay推出采用TO-263（D2PAK）封裝，具有多脈沖處理能力的車規(guī)級(jí)表面貼裝厚膜功率電阻器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出TO-263（D2PAK）封裝新型車規(guī)級(jí)表面貼裝厚膜功率電阻器---D2TO35M。Vishay Sfernice D2TO35M通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，具有多脈沖處理能力，25 °C殼溫下功率耗散達(dá)35 W，適用于各種汽車應(yīng)用。日前發(fā)布的器件功率耗散和穩(wěn)定性均優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)TO-263（D2PAK）封裝器件，適用于多脈沖和重復(fù)脈沖條件下使用。電阻器25 °C下1000次脈沖最大阻值偏移為2%，100 000次脈沖阻值偏移小于5
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復(fù)整流器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級(jí)器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A 和 2 A 整流器針對(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時(shí)間。日前發(fā)
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt超快恢復(fù)整流器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級(jí)器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A 和 2 A 整流器針對(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時(shí)間。日前發(fā)
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Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復(fù)整流器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級(jí)器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A 和 2 A 整流器針對(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時(shí)間。日前發(fā)
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Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %，導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）降低了1
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Vishay推出適用于惡劣環(huán)境的緊湊型密封式SMD微調(diào)電阻器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出最新TS7系列單圈表面貼裝式陶瓷微調(diào)電阻器。TS7的微調(diào)器采用6.7 mm x 7 mm的緊湊尺寸，高度為5 mm，非常適合惡劣環(huán)境中需要優(yōu)化電路板空間的應(yīng)用。TS7系列旨在支持自動(dòng)化裝配和設(shè)置流程，提高生產(chǎn)效率，同時(shí)縮短時(shí)間并降低成本。微調(diào)電阻器完全密封，可承受標(biāo)準(zhǔn)電路板清洗處理，從而在嚴(yán)苛的工業(yè)、消費(fèi)和通信環(huán)境中確保器件的可靠性。TS7系列在+70 °C時(shí)的額定功率為0.5 W，可采用頂部和側(cè)面兩種調(diào)節(jié)方式，可靈活地滿足多
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Vishay推出的新款高能浪涌限流PTC熱敏電阻，可提高有源充放電電路性能

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新型浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL高能系列器件最大能量吸收能力達(dá)340 J，比高環(huán)境溫度下競(jìng)品器件高五倍，在25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理能力，可提高汽車和工業(yè)應(yīng)用中有源充放電電路的性能。日前發(fā)布的熱敏電阻R25阻值為150 W至1.5 kW，可實(shí)現(xiàn)更高效率，并處理高達(dá)1200 VDC的最高電壓。器件在更高環(huán)境溫度下的能量吸收
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Vishay的采用延展型SO-6封裝的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)、快速開(kāi)關(guān)和高壓

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用緊湊、高隔離延展型SO-6封裝的最新IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值輸出電流分別達(dá)3 A和4 A，工作溫度高達(dá)+125 °C，傳播延遲低至200 ns。今天發(fā)布的光耦合器包含一個(gè)AlGaAs LED（該LED通過(guò)光學(xué)耦合方式連接到具有功率輸出級(jí)的集成電路，用于太陽(yáng)能逆變器和微逆變器）、交流和無(wú)刷直流工業(yè)電機(jī)控制逆變器，以及用于U
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Vishay推出通過(guò)AEC-Q102認(rèn)證，負(fù)載電壓達(dá)100V的業(yè)內(nèi)先進(jìn)的1FormA固態(tài)繼電器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的1 Form A固態(tài)繼電器--- VORA1010M4，該器件通過(guò)AEC-Q102認(rèn)證，負(fù)載電壓達(dá)100 V。Vishay Semiconductors VORA1010M4采用薄型SOP-4封裝，典型導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間達(dá)到業(yè)內(nèi)出色的0.1 ms，工作溫度可達(dá)+125 °C。日前發(fā)布的光隔離器件集成關(guān)斷電路提高關(guān)斷速度，先進(jìn)的紅外發(fā)射器和光電二極管組合陣列實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通。固態(tài)繼電器具有出色的開(kāi)關(guān)性能，是安全關(guān)鍵性應(yīng)用的理想
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Vishay面向車載以太網(wǎng)推出超小型高可靠性ESD保護(hù)二極管

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款采用易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN1006-2B小型封裝全新車規(guī)級(jí)雙向單路ESD保護(hù)二極管---VETH100A1DD1。該器件節(jié)省空間，專門用于車載以太網(wǎng)，符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1規(guī)范，鉗位電壓、動(dòng)態(tài)電阻和電容低，可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的影響。日前發(fā)布的器件占位面積和高度均小于其他標(biāo)準(zhǔn)封裝器件。由于采用觸發(fā)電壓 > 100 V的回彈技術(shù)（snap-back
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Vishay推出新型1008封裝商用版和車規(guī)級(jí)功率電感器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新型1008封裝功率電感器---商用版IHLL-1008AB-1Z和車規(guī)級(jí)IHLP-1008ABEZ-5A，外形尺寸為2.5 mm x 2.0 mm x 1.2 mm。今天推出的這兩款功率電感器性能與更大一級(jí)的IHLP?電感器相同，占位面積只有55 %，工作溫度高達(dá)+165°C，具有寬電感范圍和低直流內(nèi)阻（DCR）。IHLL-1008AB-1Z只有底部是電鍍的端子，可縮小基板布局，實(shí)現(xiàn)緊湊的板間距，電感典型值0.33 mH
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